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ドンキホーテ
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愛と憎悪の名の下に
愛と憎悪の名の下に
ドンキホーテ
覚醒
侵蝕
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基本情報
戦闘キーワード
魔法少女、参上!
魔法少女の詠唱
マジカル・アルカナ
悪党の印
逆転 - リバースド
充電
沈潜
破壊不能コイン
破裂
ヒステリー
コスト
2
2
2
6
罪悪耐性
耐性
致命
普通
致命
普通
耐性
耐え
覚醒スキル
解釈
16
+5
愛と憎悪の名の下に - メジャー・アルカナ・スレイブ!!!
68
(+3)
攻撃加重値
− 30
[攻撃前]
自分を除くランダムな味方1 + (嫉妬共鳴数 ÷ 2)名へ
魔法少女の詠唱
1を付与 (最大4名)
- 自分に
魔法少女、参上!
があれば、代わりにランダムな味方1 + (嫉妬共鳴数 ÷ 2)名へ
魔法少女の詠唱
2を付与 (最大4名)
[攻撃前]
(
充電
- 1)だけ攻撃加重値が増加 (最大5)
- 自分に
魔法少女、参上!
があれば、代わりに
充電
だけ攻撃加重値が増加 (最大5)
[攻撃後]
自分の
充電
回数を全て消耗し、体力の比率が最も低い味方 2 + (嫉妬共鳴数 ÷ 2)名の体力を(消耗した
充電
回数)%だけ回復 (最大5名、最大10%)
[攻撃後]
ロボトミーE.G.O::愛と憎悪の名の下に ドンキホーテなら、
マジカル・アルカナ
1を得る
破壊不能コイン
[的中時]
自分の
充電
回数が2増加(1ターンにつき最大10)
破壊不能コイン
[的中時]
次のターンにメインターゲットへ
悪党の印
を付与
[的中時]
破裂
を(
充電
- 1)だけ付与 (最大4)
- 自分に
魔法少女、参上!
があれば、
破裂
回数が1増加
侵蝕
解釈
31
-12
マキシマイズド・リバースド・アルカナ・スレイブ - イレイシング・オブ・ヘイトリッド
70
(+5)
攻撃加重値
− 30
[敵味方識別不可]
ランダムな対象を攻撃
[攻撃前]
充電
だけ攻撃加重値が増加 (最大5)
- 自分に
逆転 - リバースド
があれば、代わりに(
充電
+ 1)だけ攻撃加重値が増加 (最大5)
[攻撃前]
自分の
充電
回数を全て消耗し、消耗した
充電
回数1につきダメージ量 +2.5% (最大50%)
[攻撃前]
メインターゲットに
悪党の印
があれば、
充電
1につきダメージ量 +5% (最大25%)
- 自分に
ヒステリー
があれば、代わりに
充電
1につきダメージ量 +10% (最大50%)
[攻撃前]
嫉妬共鳴数2につき、ダメージ量 +10% (最大30%, 小数点切り捨て)
[攻撃前]
破壊されたコイン数1枚につき基本威力 -12 (最大-24)
[攻撃後]
ロボトミーE.G.O::愛と憎悪の名の下に ドンキホーテなら、
ヒステリー
1を得る
破壊不能コイン
[的中時]
自分の
充電
回数が2増加(1ターンにつき最大14)
破壊不能コイン
[的中時]
次のターンにメインターゲットへ
悪党の印
を付与
[的中時]
沈潜
を(
充電
- 1)だけ付与 (最大4)
- 自分に
逆転 - リバースド
があれば、
沈潜
回数が1増加
パッシブ
アルカナ適性回路
戦闘中に累計で
充電
回数を10消耗するたび、
充電
を1得る
- 既に自分の
充電
回数を消耗して
充電
を得ているなら、重複しない
- 自分の
充電
1につき、自分の
充電
回数を消耗する基本攻撃スキルのダメージ量 +5% (最大25%)
ロボトミーE.G.O::愛と憎悪の名の下に ドンキホーテなら、スキル3が1つ追加される
愛と憎悪の名の下に — ドンキホーテ E.G.O | SAIGO NO DANTE